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DW01A

Features

1)High accuracy voltage detection

Overcharge detection voltage 4.300V

Overcharge release voltage 4.100V

Over discharge detection voltage 2.400V

Over discharge release voltage 3.000V

2)Discharge overcurrent detection function

Discharging overcurrent detection voltage 0.150V

Short-circuit detection voltage 1.000V

3)Charging overcurrent detection voltage -0.150V

4)Load Detection function

5)Charger Detection function

6)0 V battery charge function

7)Ultra-low power dissipation

Normal mode 1.5 μA (TyP.)(Ta= +25°C)

Overdischarge mode 0.7 μA (Typ.)(Ta= +25°C)

8)RoHS, PB-Free, HF

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DW01A

特性

● 工作电流低

● 过充检测 4.30V，过充释放 4.10V

● 过放检测 2.4V，过放释放 3.0V

● 充电过流检测-0.15V，放电过流检测 0.15V

● 短路电流检测 1.0V

● 充电器检测

● 过电流保护复位电阻

● 带自恢复功能

● 0V 充电使能

● 工作电压范围广

● 封装：SOT23-6L

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DW01AD

2. Features

● Ultra-Low Quiescent Current at 4μA(VDD=3.9V).

● Precision Overcharge Detection Voltage 4.30V & Over charge release Voltage 4.10V

● Precision Over discharge detection Voltage 2.5V & Over discharge release Voltage 2.9V

● Precision Overcurrent detection Voltage 0.16V & Short circuit current detection Voltage 1.3V

● Automatically detect the charger connection

● Automatically detect the current detection reset resistor

● With self recovery function

● with 0V charging enable

● Wide operating voltage range

● The ultra-small package of SOT23-6

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DW01A

Features

Reduction in Board Size due to Miniature Package SOT-23-6.

Ultra-Low Quiescent Current at 3μA (Vcc=3.6V).

Overdischarge Current at 4μA (Vcc= V).

Precision Overcharge Protection Voltage 4.3V ± 50mV

Two Detection Levels for Overcurrent Protection.

Delay times are generated by internal circuits. No external capacitors required.

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PT6006C

1. 功能

 支持多种PDO功率：

 18W/20W/25W

 ESD級別：8kV HBM and 400V MM contact

 工作溫度：-40OC ~ +125OC

 封装: SOT23-6L

 符合 RoHS 标准，无卤素

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PT6006AC

Feature

USB-C and USB-A dual port operation with cost effective single power source

USB-C Charging Standard Identification:

1.USB Power Delivery 3.0 Fix PDO

2.USB Power Delivery 3.0 PPS 3.3-11V

3.USB Type C Cc-logic 5V3A

4.BC 1.2 & YD/T1591-2009

5.Qualcomm QC2 and QC3

6.Apple 12W

7.AFC/FCP

8.Private Low Voltage Charging

USB-A Charging Standard ldentification:

1.BC 1.2 & YD/T1591-2009

2.Qualcomm QC2 and QC3

3.Apple 12w

4.AFC/FCP

5.Private Low Voltage Charging

CC pins HV protection up to 12V

2kV HBM and 1KV CDM ESD Level

-40℃~+125℃ 0peratingTemperature

Package:TSSOP-16L,QFN-16L

RoHS compliant and Halogen free

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TL432

FEATURES

Low dynamic output impedance

The effective temperature compensation in the working range of full temperature

Low output noise voltage

Fast on -state response

Sink current capability of 0.1mA to100mA

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TL431N

FEATURES

● Equivalent Full Range Temperature Coefficient 50PPM/℃

● Temperature Compensated For Operation Over Full Rate Operating Temperature Range

● Adjustable Output Voltage

● Fast Turn-on Response

● Sink Current Capability 1mA to 100mA

● Low (0.2Ω Typ.) Dynamic Output Impedance

● Low Output Noise

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TL431C

FEATURES

● Equivalent Full Range Temperature Coefficient 50PPM/℃

● Temperature Compensated For Operation Over Full Rate Operating Temperature Range

● Adjustable Output Voltage

● Fast Turn-on Response

● Sink Current Capability 1㎃ to 100㎃

● Low (0.2Ω Typ.) Dynamic Output Impedance

● Low Output Noise

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PT251

特点

 低功耗

- 5Hz版本：1.6uA@1.8V

- 20Hz版本：3.3uA@1.8V

 宽工作电压范围：1.6V~5.5V

 磁场阈值可选（Bop）

- 33Gs 低阈值

- 46Gs 高阈值

 全极磁场检测

 CMOS推挽输出

 封装：SOT-23-3L SOT-553 TO-92S

 工作温度范围：-40℃~85℃

 卓越的ESD性能：HBM 8KV

 符合RoHS标准

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PT809

特点

 精确的复位阈值：±2.5%

 最小140ms的复位脉冲宽度

 低工作电流：3V时典型值3.2µA

 复位信号在电源电压低至1.15V时仍能维持可靠输出

 对短时间电源突降的过滤功能

 工作温度范围：－40°C to +85°C

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PT4058

特点：

 独立的单节锂电池充电管理集成电路

 输入电压范围：3.8V 到 6V

 片内功率晶体管

 不需要外部阻流二极管和电流检测电阻

 恒压充电电压 4 . 2 V，也可通过一个外部电阻向上调整

 为了激活深度放电的电池和减小功耗，在电池电压较低时采用小电流的预充电模式

 可设置的持续恒流充电电流可达 1 A

 采用恒流/恒压/恒温模式充电，既可以使充电电流最大化，又可以防止芯片过热

 电源电压掉电时自动进入低功耗的睡眠模式

 充电状态和充电结束状态指示输出

 C/10充电结束检测

 自动再充电

 电池温度监测功能

 封装形式：ESOP8

 产品无铅，满足rohs，不含卤素

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PT4057

特性

◆可编程充电电流500mA

◆无需外接MOSFET，检测电阻以及隔离二极管

◆用于单节锂电池、采用SOT23-6封装的完整线性充电器

◆恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能。

◆精度达到-1%、+2%的4.2V预充电电压

◆用于电池电量检测的充电电流监控器输出

◆自动再充电

◆充电状态双输出、无电池和故障状态显示

◆C/10充电终止

◆待机模式下的静态电流为25uA

◆2.9V涓流充电

◆软启动限制浪涌电流

◆BAT输入防反接保护

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PT4056S

特性

◆可编程充电电流1000mA

◆无需外接MOSFET，检测电阻以及隔离二极管

◆用于单节锂电池、采用ESOP8封装的完整线性充电器

◆恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能。

◆充电截至精度：4.2V-1% ~ 4.2V＋2%

◆用于电池电量检测的充电电流监控器输出

◆自动再充电

◆充电状态双输出、无电池和故障状态显示

◆C/10充电终止

◆停机模式下的静态电流为35uA

◆2.9V涓流充电

◆电池温度监测

◆软启动限制浪涌电流

◆BAT输入防反接保护

◆可 0V 激活

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PT4054B

特点

◆ 可编程充电电流高达800mA

◆ 无需外接MOSFET，检测电阻以及隔离二极管

◆ 用于单节锂电池、采用ESOP8封装的完整线性充电器

◆ 恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能。

◆ 充电截至精度：4.2V-1% ~ 4.2V＋2%

◆ 用于电池电量检测的充电电流监控器输出

◆ 自动再充电

◆ 充电状态、无电池和故障状态显示

◆ C/10充电终止

◆ 停机模式下的静态电流为35uA

◆ 2.9V涓流充电

◆ 软启动限制浪涌电流

◆ BAT输入防反接保护

◆ 可0V激活

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PT4054

特点

◆可编程使充电电流可达500mA.

◆不需要MOSFET，传感电阻和阻塞二极管

◆恒电流/恒电压运行和热度调节使得电池管理效力

最高，没有热度过高的危险

◆从USB 接口管理单片锂离子电池

◆预设充电电压为4.2V±1%

◆充电电流输出监控

◆充电状态指示标志

◆1/10充电电流终止

◆停止工作时提供25μA 电流

◆2.9V涓流充电阈值电压

◆软启动限制浪涌电流电流

◆电池反接保护

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PH4056H

特性

 最高输入电压：30V

 充电截止精度：4.2V ±1%

 过压保护电压：7.3V

 最大充电电流：1000mA

 涓流/恒流/恒压三段式充电

 无需 MOSFET、检测电阻器和隔离二极管

 智能热调节功能可实现充电速率最大化

 智能再充电功能

 BAT 输入防反接保护

 待机模式静态电流：1.2μA

 C/5 充电终止

 2.9V 涓流充电阈值

 充电状态指示

 可0V激活

 封装形式： ESOP8

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PH4054H

特性

 最高输入电压：30V

 充电截止精度：4.2V ±1%

 过压保护电压：7.3V

 最大充电电流：500mA

 涓流/恒流/恒压三段式充电

 无需 MOSFET、检测电阻器和隔离二极管

 智能热调节功能可实现充电速率最大化

 智能再充电功能

 BAT 输入防反接保护

 待机模式静态电流：1.2μA

 C/5 充电终止

 2.9V 涓流充电阈值

 充电状态指示

 可0V激活

 封装形式： SOT23-5L

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PT4115

特点

 最大输出电流：1.2A

 宽输入电压范围：8V～40V

 高电流精度：±3%

 高效率：95%

 负载开路和短路保护

 PWM 和线性调光

 滞环控制：无需补偿

 最高工作频率：1MHz

 内置过温电流补偿控制

 DIM 脚接 NTC 电阻到地实现过温电流补偿

 DIM 脚接电阻到地实现亮度调节

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PT6113

Features

 2.5V~5.5V input voltage range

 35uA ultra-low quiescent current

 Internal soft-start reduces chip stress

 Input Overvoltage Protection (OVP)

 Short circuit protection Hiccup mode

 Internal integrated low RDS(ON) switch

 1.0 MHz switching frequency minimizes external components

 Optimized PFM mode for battery applications to improve light-load efficiency and extend battery life

 100% duty cycle supports input and output low dropout operation

 RoHS Compliant and Halogen Free

 PT6113M5:SOT23-5 / PT6113M6:SOT23-6 / PT6113F8:DFN2×2-8 / PT6113FC:DFN3x3-10 package

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PT6112

Features

 2.5V~5.5V input voltage range

 35uA ultra-low quiescent current

 Internal soft-start reduces chip stress

 Input Overvoltage Protection (OVP)

 Short circuit protection Hiccup mode

 Internal integrated low RDS(ON) switch

 1.5MHz switching frequency minimizes external components

 Optimized PFM mode for battery applications to improve light-load efficiency and extend battery life

 100% duty cycle supports input and output low dropout operation

 RoHS Compliant and Halogen Free

 PT6112M5:SOT23-5 / PT6112M6:SOT23-6 package

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PT6111

Features

 2.5V~5.5V input voltage range

 35uA ultra-low quiescent current

 Internal soft-start reduces chip stress

 Input Overvoltage Protection (OVP)

 Short circuit protection Hiccup mode

 Internal integrated low RDS(ON) switch

 1.5MHz switching frequency minimizes external components

 Optimized PFM mode for battery applications to improve light-load efficiency and extend battery life

 100% duty cycle supports input and output low dropout operation

 RoHS Compliant and Halogen Free

 PT6111M5:SOT23-5 / PT6111M6:SOT23-6 package

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PH6122

主要特点

 0.6V±2% 输出电压精度

 4.5V-18V的输入电压范围

 最大2A的输出电流

 输出电压范围0.6V~5V

 高效率的同步整流模式

 500KHz的开关频率

 快速的瞬态响应特性

 内置HICCUP功能

 输出短路保护功能

 限流保护

 短路保护

 内置软启动

 输入欠压锁定

 输出过压和欠压保护

 过温保护

 SOT23-6L封装

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PT6291

特点

◆ 效率高达93％

◆ 可调升压输出至12V

◆ 内部固定PWM工作频率：1MHz

◆ 输入过压保护(＜6V)

◆ 输出短路保护

◆ 输出过压保护

◆ FB基准电压0.6V

◆ 工作温度-40℃至85℃

◆ 内置软启动功能

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PT2005

特点

支持 DCM 和 QR 模式

内部集成低内阻的N沟道功率MOSFET

开关转换速度快、反向恢复时间短

特有的自供电技术，无需外部电源供电

内置多重保护

外围应用器件少

静态功耗小

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PT35XX

特点

支持 DCM 和 QR 模式

内部集成低内阻的N沟道功率MOSFET

开关转换速度快、反向恢复时间短

特有的自供电技术，无需外部电源供电

内置多重保护

外围应用器件少

静态功耗小

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PT2280

FEATURES

Primary Side Constant-Current (cc) Control for DCM and CCM Operation

±5% CC Regulation; ±1% CV Regulation

Less than 75mW Standby Power

Fixed 65KHz Switching Frequency

Green Mode and Burst Mode Control

Very Low Startup and Operation Current.

Built-in Frequency Shuffling to Reduce EMI

Built-in Current Mode Control with internal Slope Compensation

Built-in Line & inductance Compensation for cc Operation

Built-in Protections with Auto Recovery:

VDD Under Voltage Lockout (UVO)

VDD Over Voltage Protection (OVP)

On-Chip Thermal Shutdown (OTP)

Cycle-by-Cycle Current Limiting

Over Load Protection (OLP)

Short Circuit Protection (SCP)

Leading Edge Blanking (LEB)

CS Pin Float Protection

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PT7200XS

特点

内置 800V 功率 BJT

高效率准谐振一次侧调节控制(PSR-QR)

无需外部电容补偿

恒压恒流精度高

可编程线损补偿

过温保护(0TP)

过压保护和钳位(0VP)短路保护(SLP)

输出电压保护(0VP&Clamp)

低待机功耗≤75mW

采用 SOP-7 封装

建议设计输出电压在12V(含12V)以下应用

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PT2783XS

特点

内置 800V 功率 BJT

高效率准谐振一次侧调节控制(PSR-QR)

无需外部电容补偿

恒压恒流精度高

可编程线损补偿

过温保护(0TP)

过压保护和钳位(0VP)短路保护(SLP)

输出电压保护(0VP&Clamp)

低待机功耗≦75mW

采用 SOP-7 封装

建议设计输出电压在12V(含12V)以下应用

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PT2773XS

特点

原边反馈控制高精度恒流、恒压

75mW待机功耗

内置 800V 三极管

内置线电压补偿、负载补偿和恒流补偿可调线损补偿

随机频率抖动调制减少系统电磁干扰

可调线损补偿

过温补偿(OTP)

输出电压保护(OVP)、短路保护(SLP)

VCC过压保护和钳位(0VP/Clamp)

建议设计输出电压在12V(含12V)以下应用

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PT1812XS

特点

内置 800V 功率 BJT

高效率准谐振一次侧调节控制(PSR-QR)

无需外部电容补偿

恒压恒流精度高

可编程线损补偿

过温保护(OTP)

过压保护和钳位(0VP)短路保护(SLP)

输出压保护(0VP&Clamp)

低待机功耗三75mW

采用 SOP-7 封装

建议设计输出电压在12V(含12V)以下应用

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PT712XS

特点

■ 原边反馈控制高精度恒流、恒压

■ 75mW 待机功耗

■ 内置 800V 三极管

■内置线电压补偿、负载补偿和恒流补偿

■ 可调线损补偿

■ 随机频率抖动调制减少系统电磁干扰

■ 过温补偿（OTP）

■ 输出电压保护（OVP）、短路保护（SLP）

■ VCC过压保护和钳位（OVP/Clamp）

■ 建议设计输出电压在12V（含12V）以下应用

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PT250X

n Features

• Integrated with 650V MOSFET • Support Flyback and Buck Topology:

 Flyback PSR Control (SEL= Floating)

 QR-Buck CC Control (SEL= GND)

• Multi Mode PSR Control

• Audio Noise Free Operation for PSR

• Optimized Dynamic Response for PSR

• Low Standby Power <70mW

• ±4% CC and CV Regulation

• Programmable Cable Drop Compensation：

(CDC) in PSR CV Mode

• Built-in AC Line & Load CC Compensation

• Build in Protections:

 Short Load Protection (SLP)

 On-Chip Thermal Shutdown (OTP)

 Cycle-by-Cycle Current Limiting

 Leading Edge Blanking (LEB)

 Pin Floating Protection

• VDD UVLO OVP & Clamp

• Package: SOP-7

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PTP5N65-E

Features

●Low Intrinsic Capacitances

●Excellent Switching Characteristics

●Extended Safe Operating Area

●Unrivalled Gate Charge : 15 nC (Typ.)

●BVDSS=650V,ID=4.5A

●Lower RDS(on) : 2.7Ω (Max) @VG=10V

●100% Avalanche Tested

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PTP2N80

800V N-Channel MOSFET

Features

●Low Intrinsic Capacitances

●Excellent Switching Characteristics

●Extended Safe Operating Area

●Unrivalled Gate Charge :Qg= 13nC (Typ.)

●BVDSS=800V,ID=3A

●RDS(on) : 5 Ω (Max) @VG=10V

●100% Avalanche Tested

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PTP01H11

Description

The PTP01H11 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications

General Features

● VDS =100V,ID =110ARDS(ON) <9mΩ @ VGS=10V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS

● Excellent package for good heat dissipation

● Special process technology for high ESD capability

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

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PTP01H10

Description

The PTP01H10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS = 100V,ID =100ARDS(ON) < 11mΩ @ VGS=10V (Typ:9.9mΩ)

● Special process technology for high ESD capability

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

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PTF12N60

Features

■ RDS(on) (Max 0.70 Ω )@VGS=10V

■ Gate Charge (Typical 50nC)

■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

■ 100% Avalanche Tested

■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)

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PTF10N65

Features

■ RDS(on) (Typical 0.70 Ω )@VGS=10V

■ Gate Charge (Typical 45nC)

■ Improved dv/dt Capability, High Ruggedness

■ 100% Avalanche Tested

■ Maximum Junction Temperature Range (150°C)

General Description

This Power MOSFET is produced using Wisdom’s advanced

planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been

especially designed to minimize on-state resistance, have a high

rugged avalanche characteristics. These devices are well suited

for high efficiency switch mode power supplies, active power factor

correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

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PTF10N60

Features

10.0A, 600V, RDS(on) = 0.750Ω @VGS = 10 V

Low gate charge ( typical 48nC)

High ruggedness

Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

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产品中心

DW01A

DW01A

DW01AD

DW01A

PT6006C

PT6006AC

TL432

TL431N

TL431C

PT251

PT809

PT4058

PT4057

PT4056S

PT4054B

PT4054

PH4056H

PH4054H

PT4115

PT6113

PT6112

PT6111

PH6122

PT6291

PT2005

PT35XX

PT2280

PT7200XS

PT2783XS

PT2773XS

PT1812XS

PT712XS

PT250X

PTP5N65-E

PTP2N80

PTP01H11

PTP01H10

PTF12N60

PTF10N65

PTF10N60